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          首頁 >IPB024N08N5>規(guī)格書列表

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          IPB024N08N5

          業(yè)界領(lǐng)先的功率 MOSFET 技術(shù),適用于電信和服務(wù)器應(yīng)用,采用 OptiMOS ? 5 80V,采用 D2PAK 封裝

          OptiMOS? 5 80V 功率 MOSFETs 專為通信和服務(wù)器電源中的同步整流而設(shè)計(jì)。此外,這些器件還可以在其他工業(yè)應(yīng)用中使用,例如太陽能、低壓驅(qū)動(dòng)器和適配器。新型OptiMOS? 5 80V MOSFET 采用七種不同封裝,提供了行業(yè)內(nèi)較低 R DS(on)。 ? 針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化\n? 非常適合高開關(guān)頻率\n? 輸出電容降低高達(dá) 44%\n? R DS(on)降低高達(dá) 44%\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 高系統(tǒng)效率\n? 降低開關(guān)和通態(tài)損耗\n? 減少并聯(lián)\n? 增加功率密度\n? 低電壓過沖;

          Infineon

          英飛凌

          IPB024N08N5

          N-channel, normal level

          文件:1.17064 Mbytes 頁數(shù):12 Pages

          INFINEON

          英飛凌

          IPB025N08N3G

          TO-263

          英飛凌/實(shí)單必成

          上傳:深圳市拓芯泰電子科技有限公司

          英飛凌/實(shí)單必成

          IPB034N06L3G

          TO-263

          IPB034N06L3GATMA1

          原廠封裝

          技術(shù)參數(shù)

          • OPN:

            IPB024N08N5ATMA1

          • Qualification:

            Non-Automotive

          • Package name:

            PG-TO263-3

          • VDS max:

            80 V

          • RDS (on) @10V max:

            2.4 m?

          • ID @25°C max:

            166 A

          • QG typ @10V:

            99 nC

          • Polarity:

            N

          • Operating Temperature min:

            -55 °C

          • Operating Temperature max:

            175 °C

          • Technology:

            OptiMOS? 5

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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          全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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          PG-TO263-3
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          原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價(jià)
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          更多IPB024N08N5供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-20 10:10:00
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