效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

800V CoolMOS? P7超結(jié)MOSFET系列完全適合低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能，易用性和性價(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式應(yīng)用，包括適配器和充電器，LED驅(qū)動(dòng)器，音頻SMPS，輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產(chǎn)品相比，這一新產(chǎn)品系列可提供高達(dá)0.6％的效率增益；與典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品想相比，MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過(guò)降低開關(guān)損耗和改善DPAK R DS（on）產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計(jì)?？偠灾@有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。 ? 同類中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類中較為出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 變動(dòng) ± 0.5V\n? 出色的質(zhì)量和可靠性\n? 比之CoolMOS C3，此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益，MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)\n? 減少生產(chǎn)問(wèn)題，減少外部退貨\n? 易于選擇合適的零件來(lái)優(yōu)化設(shè)計(jì);

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絲印：80R280P7；Package：PG-TO220FullPAK；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.28Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Power Factor Correction (PFC) ·Recommended For Hard And Soft Switching Flyback Topologies For LED Lighting ·Low Power Chargers An

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ISC

無(wú)錫固電