首頁 >IPA80R1K0CE>規(guī)格書列表
| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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IPA80R1K0CE | High peak current capability 文件：1.04916 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | |
IPA80R1K0CE | Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.95 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
IPA80R1K0CE | 500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET 800V CoolMOS?CE 是英飛凌的高性能器件系列，可提供 800V 的擊穿電壓。CE產(chǎn)品專注于消費者電子應用以及照明產(chǎn)業(yè)。新推出的 800V 精選系列產(chǎn)品是專門為 LED 應用而設計的。英飛凌用這一特定 CoolMOS? 系列，將長期以來作為行業(yè)領先的超結 MOSFET 供應商經(jīng)驗與頂級的創(chuàng)新很好地結合了起來。 ? 特定導通電阻低（R DS（on）* A）\n? 輸出電容為（E oss）@ 400V 時，能量儲存非常低\n? 低柵極電荷 (Qg)\n? 經(jīng)過現(xiàn)場驗證的 CoolMOS? 質量\n? 自1998年以來，英飛凌就開始大規(guī)模開發(fā)CoolMOS? 技術\n\n優(yōu)勢:\n? 高效率，高功率密度\n? 超高性價比\n? 高可靠性\n? 使用方便; | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.32174 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.32174 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON |
技術參數(shù)
- OPN：
IPA80R1K0CEXKSA2
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
PG-TO220-3
- VDS max：
800 V
- RDS (on) @10V max：
950 m?
- ID @25°C max：
5.7 A
- QG typ @10V：
31 nC
- Special Features：
price/performance
- Polarity：
N
- Operating Temperature min：
-40 °C
- Operating Temperature max：
150 °C
- VGS(th) min：
2.1 V
- VGS(th) max：
3.9 V
- Technology：
CoolMOS? CE
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220 |
32360 |
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INFINEON |
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TO-220F |
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INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
TO-220 |
9000 |
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INFINEON/英飛凌 |
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TO-220F-3 |
18798 |
原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號開票。 |
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Infineon(英飛凌) |
25+ |
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原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號開票。 |
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Infineon/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
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