絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/70s600p7/marking.html">70S600P7；Package：PG-TO220FullPAK；700V CoolMOS? P7 Power Transistor

700V CoolMOS P7 Power Transistor Potential applications ? ?Recommended for Flyback topologies for example used in Chargers, ? ?Adapters, Lighting Applications, etc.

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英飛凌對反激式拓撲的解答

順應(yīng)當下和未來反激式拓撲產(chǎn)品的趨勢而開發(fā)——全新 700V CoolMOS? P7?超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品具有比目前所使用超結(jié)技術(shù)更強的性能，適用于手機充電器或筆記本電腦適配器等低功率 SMPS 市場?？蛻舴答伵c 20 多年的超結(jié) MOSFET 經(jīng)驗相結(jié)合，700V CoolMOS? P7 在諸多方面成為目標應(yīng)用的最佳選擇：\n ? 效率和熱性能\n? 使用方便\n? 電磁干擾行為 ? 極低 FOM R DS(on)x E oss；更低 Q g、E on 和 E off\n? 高性能技術(shù) ? 低開關(guān)損耗 (E oss)\n? 高效率\n? 優(yōu)異的熱性能\n\n? 支持高速開關(guān)\n? 集成保護齊納二極管\n? V (GS)th 優(yōu)化至 3V，±0.5V 窄容差\n? 成熟的產(chǎn)品組合\n\n優(yōu)勢:\n? 成本極具競爭力的技術(shù)\n? 與 C6 技術(shù)相比，效率增益高達 2.4%，器件溫度低 12K\n? 更高開關(guān)速度實現(xiàn)更高效率增益\n? 更低的 BOM 成本縮減磁性元件尺寸\n? 高 ESD 穩(wěn)健性，達到 HBM 2 級水平\n? 輕松驅(qū)動和設(shè)計導入\n? 支持更小的外;

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700V CoolMOS? P7 Power Transistor

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700V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss ?Excellentthermalbehavior ?IntegratedESDprotectiondiode ?Lowswitchinglosses(Eoss) ?Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits ?Costcompetitivetechnology ?Lowertemperature ?HighESDruggedness ?Enablesefficiencygainsath

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MOSFET 700V CoolMOS? P7 Power Transistor

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS? P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charg

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