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首頁 >IPA65R650CE>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPA65R650CE	文件：316.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ? FEATURES ? With TO-220F packaging ? High speed switching ? Very high commutation ruggedness ? Easy to use ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz ? APPLICATIONS ? PFC stages, hard switching PWM stages and resonant s 文件：316.05 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPA65R650CE	文件：1.16448 Mbytes Page：16 Pages	650V CoolMOS??CE Power Transistor 文件：1.16448 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA65R650CE	文件：1.34622 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.34622 Mbytes 頁數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA65R650CE_15	文件：1.34622 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.34622 Mbytes 頁數(shù)：17 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA65R650CE_16	文件：1.16448 Mbytes Page：16 Pages	650V CoolMOS??CE Power Transistor 文件：1.16448 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA65R650CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET CoolMOS?CE適用于硬開關(guān)應(yīng)用和軟開關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它可以提供低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗，進(jìn)而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結(jié)合了最佳的 RDS （on）和封裝，適用于手機(jī)和平板電腦的低功耗充電器。 ? 典型 R DS （on）和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲(chǔ)存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好，反向恢復(fù)電荷（Q rr）較低\n? 經(jīng)過優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢:\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開關(guān)損耗\n? 兼適于硬開關(guān)和軟開關(guān)\n? 易掌控的轉(zhuǎn)換行為\n? 提高效率，進(jìn)而降低功耗\n? 減輕設(shè)計(jì)工作量\n? 使用簡便;	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPA65R650CEXKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
650 m?
ID @25°C max：
7 A
QG typ @10V：
23 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
VGS(th) min：
2.5 V
VGS(th) max：
3.5 V
Technology：
CoolMOS? CE

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更多IPA65R650CE供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:36:00

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