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IPA65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	絲印：65F6150；Package：PG-TO220FullPAK；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS?M CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Th 文件：3.82385 Mbytes 頁數(shù)：20 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA65R150CFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET Replacement for 650V CoolMOS? CFD2?is 600V CoolMOS? CFD7\n 650V CoolMOS? CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS? MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation ? 650V technology with integrated fast body diode\n? Limited voltage overshoot during hard commutation\n? Significant Qg reduction compared to 600V CFD technology\n? Tighter RDS(on) max to RDS(on) typ window\n? Easy to design-in\n? Lower price compared to 600V CFD technology\n\n優(yōu)勢(shì):\n? Low switching ;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPB65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS?M CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Th 文件：3.82385 Mbytes 頁數(shù)：20 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPB65R150CFD	文件：316.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：316.91 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPB65R150CFDA	文件：2.19525 Mbytes Page：16 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.19525 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IPA65R150CFDXKSA1/IPA65R150CFDXKSA2
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3/PG-TO220-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
150 m?
ID @25°C max：
22.4 A
QG typ @10V：
86 nC
Special Features：
fast recovery diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
3.5 V
VGS(th) max：
4.5 V
Technology：
CoolMOS? CFD2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IPA65R150CFD供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:31:00

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