Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

600V CoolMOS? P6 Power Transistor Applications ? ?PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages ? ?for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD&PDPTV, Lighting, Server, Telecom ? ?and UPS.

文件：2.85536 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages

INFINEON

英飛凌

Isc N-Channel MOSFET Transistor

? FEATURES ? With TO-220F Package ? Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ? APPLICATIONS ? Switching applicatio

文件：269.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：2.85536 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages

INFINEON

英飛凌

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET

英飛凌?CoolMOS? P6 超結(jié) MOSFET 系列旨在實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率，同時易于在 CoolMOS? P6 中設(shè)計，填補(bǔ)了專注于提供最佳性能的技術(shù)與更專注于易用性的技術(shù)之間的空白。 ? 減少柵極電荷 (Qg)\n? 更高的 Vth\n? 體二極管耐久性良好\n? 經(jīng)過優(yōu)化的集成 Rg\n? dv/dt 從 50V/ns\n? 提高CoolMOS? 的質(zhì)量得益于英飛凌在超結(jié)技術(shù)領(lǐng)域擁有超過 12 年的制造經(jīng)驗\n\n優(yōu)勢:\n? 提高了效率，特別是在輕載條件下\n? 具備提前關(guān)閉功能，可提高軟開關(guān)應(yīng)用效率\n? 適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)鋅n? 優(yōu)化了效率與易用性以及對開關(guān)行為的良好控制性之間的平衡\n? 堅固性高，效率更高\(yùn)n? 出色的質(zhì)量和可靠性;

Infineon

英飛凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件：2.85536 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages

INFINEON

英飛凌