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IPA60R160C6	文件：2.20516 Mbytes Page：18 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devi 文件：2.20516 Mbytes 頁數(shù)：18 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA60R160C6	文件：315.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ? FEATURES ? With TO-220F packaging ? High speed switching ? Very high commutation ruggedness ? Easy to use ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz ? APPLICATIONS ? Switching applications 文件：315.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IPA60R160C6	文件：1.08909 Mbytes Page：18 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.08909 Mbytes 頁數(shù)：18 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IPA60R160C6	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V-950 V CoolMOS? N 溝道功率 MOSFET CoolMOS? C6/E6系列將 Infineon 作為領(lǐng)先的SJ MOSFET供應(yīng)商的經(jīng)驗與一流的創(chuàng)新相結(jié)合。這些器件提供了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。極低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗使開關(guān)應(yīng)用更加高效、緊湊、輕便和涼爽。600V CoolMOS ? C6 可替代 600V CoolMOS ? C3650V CoolMOS ? C6 可替代 650V CoolMOS ? C3 ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于品質(zhì)因數(shù) (R DS(on)* Q g 和 E oss) 非常低，損耗也非常低\n? 非常高的換向堅固性\n? 易于使用\n? 與 C3 相比，輕載效率更高\n? 憑借久經(jīng)考驗的 CoolMOS ?品質(zhì)和高體二極管堅固性，實現(xiàn)了出色的可靠性\n? 與前幾代 CoolMOS ?相比，性價比更高\n? 更高效、更緊湊、更輕便、更散熱;	Infineon 英飛凌	Infineon
IPA60R160C6_14	文件：1.08909 Mbytes Page：18 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.08909 Mbytes 頁數(shù)：18 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

ID max：
23.8 A
IDpulsmax：
70 A
Ptotmax：
34 W
QG：
75 nC
QG(typ @10V)：
75 nC
RDS (on)max：
160 m?
RDS (on)(@10V) max：
160 m?
RthJAmax：
80 K/W
RthJCmax：
3.67 K/W
Rth：
3.67 K/W
VDSmax：
600 V
VGS(th)：
2.5 V to 3.5 V
Mounting：
THT
Package：
TO-220 FullPAK
Operating Temperaturemin：
-55 °C
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
1.38

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