Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS? C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered de

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/6r125c6/marking.html">6R125C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Features * Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high comutation ruggedness * Easy to ues/drive * JEDEC qualified, Pb-free plating, Halogen free

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Isc N-Channel MOSFET Transistor

? FEATURES ? With TO-220F package ? Low input capacitance and gate charge ? Low gate input resistance ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ? APPLICATIONS ? Switching applications ? Load switch ? Power management

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無錫固電

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET

CoolMOS? C6 結合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進的超結MOSFET供應商的相關經(jīng)驗與其先進的創(chuàng)新技術C6 器件具備了快速開關超結 MOSFET 的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。很低的開關和通態(tài)損耗使開關應用更高效，結構緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3 ? 易于控制開關行為\n? 由于非常低的品質因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低\n? 非常高的換流堅固性\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實踐驗證的 CoolMOS? 質量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價比更高\n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低\n\n\n優(yōu)勢:\n?\n ? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關拓撲中使用\n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關應用中的效率\n? 改進了易用性\n? 減輕可能因為 PCB 布局和封裝寄生效應而引;

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包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH TO220-3

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