Off-Line CV/CC ZVS Flyback Integrated Switcher IC with 750 V PowiGaN, Active Clamp Drive and Synchronous Rectification

Highly Integrated, Compact Footprint ? Zero voltage switching (ZVS) flyback controller with driver for ClampZeroTM (active clamp IC) ? Unique control algorithm enables ZVS in both DCM and CCM ? Robust 750 V PowiGaNTM primary switch ? Steady-state switching frequency up to 155 kHz minimizes t

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POWERINTPower Integrations, Inc.

荷蘭帕沃英蒂格盛有限公司

Off-Line CV/CC ZVS Flyback Integrated Switcher IC with 750 V PowiGaN, Active Clamp Drive and Synchronous Rectification

Highly Integrated, Compact Footprint ? Zero voltage switching (ZVS) flyback controller with driver for ClampZeroTM (active clamp IC) ? Unique control algorithm enables ZVS in both DCM and CCM ? Robust 750 V PowiGaNTM primary switch ? Steady-state switching frequency up to 155 kHz minimizes t

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荷蘭帕沃英蒂格盛有限公司

集成750V PowiGaN、有源鉗位驅(qū)動(dòng)和同步整流、與ClampZero有源鉗位IC搭配使用的恒壓/恒流離線反激式集成開(kāi)關(guān)IC

InnoSwitch4-CZ系列IC與ClampZero系列有源鉗位IC搭配使用，可大幅提高反激式功率變換器的效率，特別適用于那些具有緊湊外形要求的變換器設(shè)計(jì)應(yīng)用。InnoSwitch4-CZ產(chǎn)品系列將初級(jí)和次級(jí)控制器以及符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋機(jī)制集成于一個(gè)單個(gè)IC當(dāng)中。\n\n InnoSwitch4-CZ與ClampZero相結(jié)合，大大降低了系統(tǒng)和初級(jí)開(kāi)關(guān)的損耗，可以實(shí)現(xiàn)極高的功率密度。InnoSwitch4-CZ還集成了多項(xiàng)保護(hù)特性，包括輸出過(guò)壓、過(guò)流限制以及過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)。所提供的器件均支持鎖存與自動(dòng)重啟動(dòng)保護(hù)模式的常用組合，這是充電器、適配器、消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用所要求的特性 高度集成，外形緊湊\n? 可為ClampZero（有源鉗位IC）提供驅(qū)動(dòng)的零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式控制器\n? 耐用的750V PowiGaN初級(jí)開(kāi)關(guān)\n? 高達(dá)140kHz的穩(wěn)態(tài)開(kāi)關(guān)頻率降低了變壓器尺寸\n? 集成同步整流驅(qū)動(dòng)器和次級(jí)側(cè)檢測(cè)\n? 內(nèi)部集成的FluxLink?技術(shù)，使得反饋鏈路滿足HIPOT（高壓絕緣）要求\n? 優(yōu)異的恒壓/恒流精度，不受外部元件的影響\n? 采用外部電流檢測(cè)電阻，輸出電流精確可調(diào)\n\nEcoSmart – 高效節(jié)能\n? 效率最高可達(dá)95%\n? 在輸入電壓檢測(cè)電路工作的情況下空載功耗低于30mW\n\n先進(jìn)的保護(hù)/安全特性\n? SR FET;

PI

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology ? Low switching losses ? Maximum Junction temperature 150 °C ? Square RBSOA ? 100 of the parts tested for clamped inductive load ? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode ? Tight parameter distribution ? Lead Free Package Benefits ? High Effic

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

文件：361.79 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

IRF

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING)

SWITCHING APPLICATION. FEATURES ? High Current. ? Low VCE(sat). : VCE(sat)≤ 250mV at IC=200mA/IB=10mA. ? Complementary to KTA2012E.

文件：72.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)