2EDN7434BXTSA1，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 代理現(xiàn)貨2EDN7434BXTSA1供應(yīng) 有關(guān)咨詢2EDN7434BXTSA1價格 2EDN7434BXTSA1 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 2EDN7434BXTSA1 是英飛凌科技（Infineon Technologies）的一款柵極驅(qū)動器，屬于 EiceDRIVER? 2EDN 系列。以下是其相關(guān)信息： 產(chǎn)品概述： 2EDN7434BXTSA1 是一款快速雙通道 4A 柵極驅(qū)動器，針對驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)和超結(jié) MOSFET 以及寬
華芯邦科技專注數(shù)?；旌闲酒O(shè)計，其LED驅(qū)動芯片采用原邊反饋技術(shù)，具高精度調(diào)節(jié)、高集成度及穩(wěn)定輸出性能，廣泛應(yīng)用于家居、戶外、汽車等領(lǐng)域，助力節(jié)能照明，持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新。，LED照明技術(shù)的快速發(fā)展，電源管理芯片已成為決定LED燈具性能、壽命和能效的關(guān)鍵因素。華芯邦科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計企業(yè)，其LED驅(qū)動芯片解決方案以其高效能、高可靠性和高度集成性，正助力各類照明應(yīng)用實現(xiàn)卓越性能。 1 華芯邦LED電源管理芯片的技術(shù)優(yōu)勢 華芯邦科技有限公司成立于2008年，總部位于深圳，是一家專注于數(shù)模
BSP78HUMA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號 BSP78HUMA1 品牌 INFIENON 封裝 SOT223 開關(guān)類型 通用 輸出數(shù) 1 比率 - 輸入:輸出 1：1 輸出配置 高端 輸出類型 N 通道 接口 開/關(guān) 電壓 - 負(fù)載 12V ~ 45V 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 不需要 電流 - 輸出（最大值） 700mA 導(dǎo)通電阻（典型值） 150 毫歐 輸入類型 非反相 特性 帶有自動重啟功能 故障保護(hù)
DRV8874PWPR 是德州儀器（TI）推出的一款高性能 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，專為直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制設(shè)計，具有集成度高、保護(hù)功能完善等特點，基本信息 制造商：Texas Instruments（德州儀器） 產(chǎn)品類別：集成電路（IC），屬于電機(jī)驅(qū)動器、控制器 系列：DRV8874 封裝：16-TSSOP（薄型小外形封裝），表面貼裝型，適合空間受限的設(shè)計 安裝類型：表面貼裝型 RoHS 狀態(tài)：符合 RoHS 規(guī)范，濕氣敏感性等級（MSL）為 3（168 小時） 關(guān)鍵參數(shù) 供電電壓范圍：6.
TPS54260DGQR 是德州儀器（Texas Instruments ）推出的一款高性能集成電路，屬于降壓型 DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器，在電源管理領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，基礎(chǔ)信息 制造商：Texas Instruments（德州儀器，簡稱 TI） 類別：集成電路（IC），具體為穩(wěn)壓器 - DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 系列：Eco-Mode? 封裝 / 外殼：10-PowerTFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） ，供應(yīng)商器件封裝為 10-HVSSOP 安裝類型：表面貼裝型 RoHS
MAX13054ESA 是美信半導(dǎo)體（Maxim Integrated）推出的一款工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高速 CAN 收發(fā)器接口 IC，主要用于實現(xiàn) CAN 協(xié)議控制器與 CAN 總線的物理連接。，MAX13054ESA 是美信半導(dǎo)體（Maxim Integrated）推出的一款工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高速 CAN 收發(fā)器接口 IC，主要用于實現(xiàn) CAN 協(xié)議控制器與 CAN 總線的物理連接。以下是其詳細(xì)介紹：功能特點：高速通信：數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 2Mbps，能滿足大多數(shù)工業(yè)和汽車應(yīng)用對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。寬電
M95160-DRMN3TP/K 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款 16Kbit 串行 SPI 總線電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），M95160-DRMN3TP/K 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款 16Kbit 串行 SPI 總線電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）。以下是其詳細(xì)介紹：存儲容量：存儲容量為 16Kbit，內(nèi)存配置為 2K x 8 位，能夠以這種格式存儲結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)，滿足多種應(yīng)用對存儲空間的需求。
NTMFS5C423NLT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5C423NLT1G? 供貨情況 NTMFS5C423NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C423NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V Id-連續(xù)漏極電流: 1
NTMFS5C423NLT3G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系 NTMFS5C423NLT3G? 供貨情況 NTMFS5C423NLT3G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C423NLT3G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 封裝: Reel 封裝: Cut Tape 商標(biāo): onsemi 產(chǎn)品類型: MOSFETs 系列: NTMFS5C423
BSP321PL6327HTSA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號 BSP321PL6327HTSA1 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT-223 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 500 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 400mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 4 歐姆 @ 400mA，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值
MAX96722GTB/V+T ADI(亞德諾)/MAXIM(美信) QFN 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢 ，MAX96722GTB/V+T 品牌： ADI(亞德諾)/MAXIM(美信) 封裝：QFN 類目：通信接口 MAX96722GTB/V+T 是亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）公司推出的一款通信接口芯片，具體介紹如下： 基本特性： 接口標(biāo)準(zhǔn)：是一款四通道 GMSL2 到 CSI-2 的解串器，支持 GMSL2 和 GMSL1 協(xié)議。在 GMSL2 模式下，每個串行鏈路正
G5NB-1A-E DC12 是歐姆龍（Omron）公司生產(chǎn)的一款通用功率繼電器，基本信息： 所屬系列：G5NB 系列。 產(chǎn)品類型：通用功率繼電器。 觸點配置：單刀單擲（SPST，1 Form A），常開觸點。 安裝方式：插件式（Through Hole），適合通過焊接固定在電路板上。 線圈參數(shù)： 線圈電壓：直流 12V（DC 12V）。 線圈電阻：720Ω。 線圈電流：16.7mA。 線圈功率：200mW。 線圈類型：非鎖存型。 觸點參數(shù)： 觸點材料：銀合金（Ag）。 最大切換
G5NB-1A-E-24VDC 是歐姆龍（Omron）公司生產(chǎn)的一款功率繼電器，線圈參數(shù)： 線圈電壓：直流 24V（DC 24V），這是使繼電器正常工作需要施加在線圈上的電壓。 線圈電阻：2.88kΩ，在一定程度上影響線圈的電流消耗 。 線圈功率：200mW ，表示線圈工作時消耗的功率 。 線圈電流 ：8.3mA。 動作 / 釋放電壓：必須動作電壓為 18VDC ，必須釋放電壓為 2.4VDC。即當(dāng)線圈電壓達(dá)到 18V 時繼電器會動作，當(dāng)電壓下降到 2.4V 時繼電器會釋放。 線圈類型：無極性
IP1818L 是臺灣九旸（ICPLUS）公司推出的一款以太網(wǎng)控制 IC，主要用于以太網(wǎng)交換機(jī)等設(shè)備中，IP1818L 是臺灣九旸（ICPLUS）公司推出的一款以太網(wǎng)控制 IC，主要用于以太網(wǎng)交換機(jī)等設(shè)備中，以下是其詳細(xì)介紹：基本特性：接口類型：提供 16 個 SS-SMII 接口、2 個 RGMII 接口、1 個 1000Base-X Serdes 接口和 1 個 MII 接口。存儲容量：嵌入 2.75MB 的 SRAM，用于數(shù)據(jù)包緩沖。報文長度：支持報文長度不超過 15
MT41K512M8DA-107 是美光（Micron）生產(chǎn)的一款 DDR3 SDRAM 存儲芯片，MT41K512M8DA-107 是美光（Micron）生產(chǎn)的一款 DDR3 SDRAM 存儲芯片。其相關(guān)介紹如下：存儲容量：具有 4Gb 大容量，采用 512M×8 的配置，能為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供充足內(nèi)存資源，可有效減少單一系統(tǒng)中所需的內(nèi)存芯片數(shù)量，簡化系統(tǒng)設(shè)計并提高可靠性。數(shù)據(jù)傳輸速率：支持高達(dá) 1866MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，能滿足高性能計算場景的帶寬需求，適用于對數(shù)據(jù)傳輸速度要求較
TPS62665YFFR 是一款高頻同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，其設(shè)計初衷是為便攜式設(shè)備（如智能手機(jī)、平板電腦）中的現(xiàn)代低壓處理器、ASIC和FPGA內(nèi)核供電。它以其極高的開關(guān)頻率、極小的解決方案尺寸和出色的效率而著稱。，這是一款非常經(jīng)典和廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備的高頻、高效降壓轉(zhuǎn)換器（Step-Down Converter 或 Buck Converter）。主要功能和特點?高效率同步整流?：內(nèi)部集成了高端和低端功率MOSFET（開關(guān)管），無需外部肖特基二極管，
TPS5401DGQR 是德州儀器（Texas Instruments）推出的一款降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，TPS5401DGQR 是德州儀器（Texas Instruments）推出的一款降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，以下是其詳細(xì)介紹：基本特性：輸入電壓范圍：3.5V 至 42V。輸出電流：最大輸出電流為 0.5A。開關(guān)頻率：開關(guān)頻率范圍為 100kHz 至 2.5MHz，寬開關(guān)頻率范圍允許效率和外部元件尺寸優(yōu)化。工作模式：脈沖跳躍模式：在無負(fù)載輸出穩(wěn)壓電壓時，低紋波脈沖跳躍
ADG709BRUZ-REEL7 是亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）公司推出的一款多路復(fù)用開關(guān) IC，ADG709BRUZ-REEL7 是亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）公司推出的一款多路復(fù)用開關(guān) IC，以下是其詳細(xì)介紹：基本特性：電源電壓：支持單電源供電，電壓范圍為 1.8V 至 5.5V；也支持雙電源供電，電壓為 ±2.5V。通道數(shù)量：內(nèi)置 4 個差分通道，是一款差分 4:1 多路復(fù)用器，可根據(jù) 2 位二進(jìn)制地址線 A0 和 A1 所確定的地址，將 4
它以其極高的可靠性、簡單的接口和長壽命周期，成為工程師在數(shù)據(jù)存儲設(shè)計中的默認(rèn)選擇之一。，核心參數(shù)一覽：定義標(biāo)準(zhǔn)與可靠 容量與組織： 16 Kbit，內(nèi)部組織為 2048 x 8位（即256字節(jié)頁，共8頁），以字節(jié)為單位進(jìn)行尋址。 接口協(xié)議： 支持 I2C（Inter-Integrated Circuit）兩線制串行接口，標(biāo)準(zhǔn)模式速度可達(dá) 400 kHz，兼容性強(qiáng)，占用MCU引腳資源極少。 工作電壓： 寬電壓范圍：1.7V 至 5.5V。 此特性使其能夠無縫適用于1.8V, 3.3V, 5V等
LIS2DW12TR不僅僅是一顆加速度計，更是一個超低功耗的智能傳感子系統(tǒng)，傳感核心： 量程可選： ±2g, ±4g, ±8g, ±16g，靈活應(yīng)對不同應(yīng)用場景的振動與運(yùn)動幅度。 輸出數(shù)據(jù)速率（ODR）： 超寬范圍從1.6 Hz到1600 Hz，支持高性能模式下的高速采樣與超低功耗模式下的間歇工作。 接口類型： I2C / SPI 數(shù)字雙接口，提供設(shè)計便利性與通信靈活性。 FIFO： 內(nèi)置4096字節(jié)的大型先進(jìn)先出（FIFO）緩存塊，可存儲多達(dá)1365個三軸數(shù)據(jù)樣本，極大減輕主控處理器（MCU）負(fù)
CS5532-ASZ并非一款追求極限采樣速度的ADC，而是專注于提供極致精度、高集成度和低功耗的標(biāo)桿產(chǎn)品，核心架構(gòu)： 基于成熟的Σ-Δ調(diào)制技術(shù)，結(jié)合片內(nèi)數(shù)字濾波，提供極高的有效分辨率（ENOB）和優(yōu)異的抗噪聲性能。 分辨率： 24位 無失碼精度，確保在滿量程范圍內(nèi)提供超過1600萬碼的高精度數(shù)據(jù)輸出。 通道配置： 雙差分輸入通道，可靈活配置為兩個獨立的測量通道，簡化多信號采樣系統(tǒng)設(shè)計。 輸出數(shù)據(jù)速率（ODR）： 可編程設(shè)置，從7.5 Hz 到 3.84 kHz（取決于主時鐘和配置），用戶可在速度和分
APM32F103RCT6不僅僅是一款成功的“替代品”，更是一款在性能、可靠性和服務(wù)上都具有顯著競爭力的國產(chǎn)高性能MCU，核心參數(shù)一覽：硬核指標(biāo)，彰顯實力 內(nèi)核架構(gòu)： CPU： 高性能 ARM Cortex-M3 內(nèi)核。 主頻： 高達(dá) 96 MHz 的工作頻率，執(zhí)行速度相比同類產(chǎn)品有顯著提升。 性能： 支持單周期乘法和硬件除法，計算效率高。 存儲器配置： Flash： 256KB，用于存儲應(yīng)用程序代碼。 SRAM： 48KB，為程序運(yùn)行和數(shù)據(jù)處理提供充足空間。 豐富的外設(shè)接口（核心競爭
ZXMHC3F381N8TC DIODES(美臺) SO-8? ，ZXMHC3F381N8TC 品牌： DIODES(美臺) 封裝： SO-8? 類目：場效應(yīng)管(MOSFET) 通道數(shù):2 工作電壓：30V 工作電流：4.1A 導(dǎo)通電阻：80mΩ
BSP316PH6327XTSA1 60000PCS ，型號 BSP316PH6327XTSA1 品牌 INFINEON/英飛凌 封裝 SOT-223 FET 類型 P 通道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 100 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 680mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 1.8 歐姆 @ 680mA，10V 不同 Id 時 Vgs(
ITS410E2HKSA1 電源管理（PMIC）配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 插件TO220-5，ITS410E2HKSA1 參數(shù) 類型 集成電路（IC） 描述電源管理（PMIC） 類別 PROFET? 制造商 Infineon Technologies 系列 包裝 管件 零件狀態(tài) 停產(chǎn) 開關(guān)類型 通用 輸出數(shù) 1 比率 - 輸入:輸出 1：1 輸出配置 高端 輸出類型 N 通道 接口 開/關(guān) 電壓 - 負(fù)載 4.7V ~ 42V 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd
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