SI4435FDY-T1-GE3 全新原裝4435F 封裝SOIC-8 場效應管MOSFET
SI4435FDY-T1-GE3 全新原裝4435F 封裝SOIC-8 場效應管MOSFET,制造商: Vishay 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 REACH - SVHC: 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOIC-8 晶體管極性: P-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V Id-連續(xù)漏極電流: 12.6 A Rds On-漏源導通電阻: 30 mOhms
























