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      TPA4861DR ,TPA4861DR 是一款由德州儀器(Texas Instruments)生產(chǎn)的 1 瓦單聲道音頻功率放大器,以下是其詳細介紹:主要特點高輸出功率:能夠在 8Ω 負載下提供 1W 的連續(xù)平均功率,在音頻頻帶頻率(f寬電源電壓范圍:工作電壓范圍為 2.7V 至 5.5V,能適應多種不同的電源供應環(huán)境,方便在各種電子設備中使用,增強了其通用性.

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      N25Q064A13ESF40F ,N25Q064A13ESF40F 是美光(Micron)公司生產(chǎn)的一款 64Mbit 的 NOR 閃存芯片,以下是其詳細介紹:基本參數(shù)存儲容量:64Mbit,即 8MB,可以存儲大量的數(shù)據(jù)和程序代碼.存儲單元組織:支持 16M x 4 的位寬組織方式,能靈活地與不同位寬的系統(tǒng)總線進行連接.接口類型:采用 SPI 接口,具有簡單、高效的特點,只需要少量的引腳就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸和控制,易于與各種微控制器和處理器進行連接.電源電壓:工

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      NTMFS3D0N08XT1G MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL,制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: REACH - SVHC: 技術(shù): Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V Id-連續(xù)漏極電流: 154 A Rds On-漏源導通電阻: 2.6 mOhms Vgs

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      NTMFS0D7N03CGT1G,更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請聯(lián)系18100277303 NTMFS0D7N03CGT1G 供貨情況 NTMFS0D7N03CGT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS0D7N03CGT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: DFN-5 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V I

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