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IND02BN00D104	文件：459.91 Kbytes Page：4 Pages	1300 nm 28 Gbps NRZ I-TEMPERATURE DFB LASER DIODE CHIPS FEATURES ? Designed for uncooled 28 Gb/s NRZ operating -40 to 90 °C ? Qualified according to GR-468 for use in nonhermetic ? packages ? Excellent reliability ? Top anode and backside cathode configuration ? RoHS compliant ? Available wavelengths · 1270 nm, 1310 nm, and 1330 nm APPLICATIO 文件：459.91 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	COHERENT 高意	COHERENT
IND02Bn00D104	文件：300 bytes Page：1 Pages	1300nm 28 Gb/s NRZ I-temperature DFB激光二極管芯片專為非制冷的28Gbps NRZ設(shè)計操作溫度-20°C至95°C根據(jù)GR-468，在非封閉包件中使用時合格。卓越的可靠性頂部陽極和背面陰極配置符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)可用波長CWDM 1270納米至1370納米LWDM 1269.23納米至1318.35納米。	II-VI	II-VI
IND83205	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN20	INDIEMICRO/ 上傳：深圳市中賽美電子科技有限公司	INDIEMICRO/
IND83205	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-20	英迪芯微上傳：深圳市中賽美電子科技有限公司	英迪芯微
IND83209	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	INDIESEMI英迪芯上傳：深圳市中賽美電子科技有限公司	INDIESEMI英迪芯

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