絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/40r045m2/marking.html">40R045M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

Features ? Ideal for high frequency switching and synchronous rectification ? Commutation robust fast body diode with low Qfr ? Low RDS(on) dependency on temperature ? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V ? Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V ? .XT interconnection techn

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INFINEON

英飛凌

General purpose (dual transistors)

Features 1) Two 2SA1514K chips in an AMT package. 2) High breakdown voltage.

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ROHM

羅姆

DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：455.11 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

DIODES

美臺半導(dǎo)體

DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：455.11 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

DIODES

美臺半導(dǎo)體

Complex Transistor(BIP+BIP)

?增幅用超小型復(fù)合三極管;

ROHM

羅姆

CoolSiC ? MOSFET 400 V G2，采用 TOLL（PG-HSOF-8）封裝，15 mΩ

? 與 650 V SiC MOSFET 相比，F(xiàn)OM 更佳\n ? 具有低 Qfr\n 的快速換向穩(wěn)健二極管? 低 RDS(on) 溫度依賴性\n ? 柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5 V\n ? 支持單極驅(qū)動 (VGSoff=0)\n ? 100% 雪崩測試\n ? 開關(guān)速度可控性高\n ? 高 dV/dt 操作期間過沖較低\n ? .XT互連技術(shù)\n ? 一流的熱性能;

Infineon

英飛凌

CoolSiC ? MOSFET 400 V G2，采用 TOLL（PG-HSOF-8）封裝，25 mΩ

? 與 650 V SiC MOSFET 相比，F(xiàn)OM 更佳\n? 具有低 Qfr\n? 低 RDS(on) 溫度依賴性\n? 柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5 V\n? 支持單極驅(qū)動 (VGSoff=0)\n? 100% 雪崩測試\n? 開關(guān)速度可控性高\n? 高 dV/dt 操作期間過沖較低\n? .XT互連技術(shù)\n? 一流的熱性能;

Infineon

英飛凌