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IMB10A	文件：73.58 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b10/marking.html">B10；Package：SOT-26；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. Application INVERTER, INTERFACE, DRIVE 文件：73.58 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
IMB10A	文件：486.57 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b10/marking.html">B10；Package：SOT-26；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：486.57 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
IMB10A	文件：1.70288 Mbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b10/marking.html">B10；Package：SOT-26；General purpose Dual digital transistor 文件：1.70288 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
IMB10A	文件：124.68 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b10/marking.html">B10；Package：SOT-26；General purpose (dual digital transistors) 文件：124.68 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
IMB10AFRA	文件：1.50031 Mbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b10/marking.html">B10；Package：SMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors. 2) Two DTA123J chips in one package. 3) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit). 4) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolat 文件：1.50031 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
IMB10AT110	文件：526.19 Kbytes Page：8 Pages	PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. Application INVERTER, INTERFACE, DRIVE 文件：526.19 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
IMB10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) ?漏電吸收型超小型復(fù)合三極管;	ROHM 羅姆	ROHM

晶體管資料

型號：
IMB10A
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_差分放大器射極輸出（Dual）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
6
可代換的型號：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

封裝：
SMT6
包裝數(shù)量：
3000
最小獨立包裝數(shù)量：
3000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457
JEITA Package：
SC-74
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
-50
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.3
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA123J / DTA123J
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1.3)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IMB10A	ROHM	24+	SOT-163SOT-23-6	9200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IMB10A	ROHM	24+	SOT163	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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更多IMB10A供應(yīng)商更新時間2026-1-19 10:50:00

晶體管資料

技術(shù)參數(shù)

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