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IGB110S101	文件：953.5 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ba1/marking.html">BA1；Package：PG-VSON-4；CoolGaNTM Transistor 100 V G3 Features ? Enhancement mode power transistor - normally OFF switch ? No reverse recovery charge ? Reverse conduction capability ? Low gate charge, low output charge ? Qualified according to JEDEC for target applications 文件：953.5 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IGB110S101	文件：300 bytes Page：1 Pages	CoolGaN ?晶體管 100 V G3，PQFN 3x3，9.4 mΩ IGB110S101 是一款 100 V 常關型 emode 功率晶體管，采用小型 PQFN 3x3 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設計。由于其導通電阻低，它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。 ? 100 V e 模式功率晶體管\n? 底部冷卻封裝\n? 無反向恢復電荷\n? 反向傳導能力\n? 低柵極電荷，低輸出電荷\n? 符合 JEDEC 標準;	Infineon 英飛凌	Infineon
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更多IGB110S101供應商更新時間2026-1-21 15:16:00