Emitter Controlled 4 Medium Power Technology

Features: ? 1200V Emitter Controlled 4 technology 110μm chip ? Soft, fast switching ? Low reverse recovery charge ? Small temperature coefficient

文件：240.23 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

INFINEON

英飛凌

Diode EMCON 4 Medium Power Chip

文件：118.33 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages

INFINEON

英飛凌

類別：繼電器 I/O 繼電器模塊 描述：DC INPUT MODULE 24V

Sensata-Crydom

類別：繼電器 I/O 繼電器模塊 描述：DC INPUT MODULE 24V

Sensata-Crydom

Chip Diode

發(fā)射極控制二極管是英飛凌獨(dú)特的快速恢復(fù)二極管技術(shù)。超薄晶圓和場終止技術(shù)通過軟恢復(fù)降低了 IGBT 的通電損耗，使發(fā)射極控制二極管非常適用于消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用。發(fā)射極控制二極管針對英飛凌 IGBT 技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。 ? 1200V第四代發(fā)射極控制二極管技術(shù)\n? 軟, 快速開關(guān)\n? 低反向恢復(fù)電荷\n? 低溫度系數(shù)\n\n優(yōu)勢:;

Infineon

英飛凌

二極管裸片

快速開關(guān)發(fā)射極控制二極管，用于低/中功率模塊。 ? 1200V 第四代發(fā)射極控制技術(shù) 110μm芯片\n? 軟，快速開關(guān)\n? 低反向恢復(fù)電荷\n? 溫度系數(shù)小\n\n優(yōu)勢:;

Infineon

英飛凌

Package：模具；包裝：帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

INFINEON

英飛凌