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首頁(yè) >絲印反查>I1

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TUSB211IRWBR	文件：595.72 Kbytes Page：20 Pages	絲?。?strong>I1；Package：X2QFN；TUSB211 USB 2.0 High Speed Signal Conditioner 1 Features 1? Compatible with USB 2.0, OTG 2.0 and BC 1.2 ? Support for LS, FS, HS signaling ? Active Power Consumption of 55 mW (Typical) with 3.3-V Single Supply ? Selectable Signal Gain Via External Pulldown Resistor ? Does Not Break DP, DM Trace ? Scalable Solution – Daisy Chain Device 文件：595.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	TI 德州儀器	TI
TUSB211IRWBR.A	文件：595.72 Kbytes Page：20 Pages	絲?。?strong>I1；Package：X2QFN；TUSB211 USB 2.0 High Speed Signal Conditioner 1 Features 1? Compatible with USB 2.0, OTG 2.0 and BC 1.2 ? Support for LS, FS, HS signaling ? Active Power Consumption of 55 mW (Typical) with 3.3-V Single Supply ? Selectable Signal Gain Via External Pulldown Resistor ? Does Not Break DP, DM Trace ? Scalable Solution – Daisy Chain Device 文件：595.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	TI 德州儀器	TI
STI11NM80	文件：908.99 Kbytes Page：22 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i11nm80/marking.html">I11NM80；Package：I2PAK；N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh? Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220, TO-247 Features ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance ■ Best RDS(on)*Qg in the industry Applications ■ Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh? technology, which associates th 文件：908.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
I10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i10n60/marking.html">I10N60；Package：TO-262；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH
I10N60	文件：964.56 Kbytes Page：11 Pages	絲印：I10N60；Package：TO-262；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：964.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH
I10N60	文件：963.95 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i10n60/marking.html">I10N60；Package：TO-262；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：963.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH
I10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	絲印：I10N60；Package：TO-262；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：964.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH
I10N65	文件：1.0784 Mbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i10n65/marking.html">I10N65；Package：TO-262；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.0784 Mbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH
I10N65	文件：1.07919 Mbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i10n65/marking.html">I10N65；Package：TO-262；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.07919 Mbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH
I10N65	文件：1.07913 Mbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/i10n65/marking.html">I10N65；Package：TO-262；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.07913 Mbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	WXDH 東海半導(dǎo)體	WXDH

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