Enhanced Flash Type 8-Bit MCU with EEPROM

General Description The devices are Flash Memory type 8-bit high performance RISC architecture microcontrollers. Offering users the convenience of Flash Memory multi-programming features, these devices also include a wide range of functions and features. Other memory includes an area of RAM Data

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內(nèi)置 EEPROM 增強(qiáng)型 Flash 單片機(jī)

(HT68F016/017/016R/017R 限用產(chǎn)品公告日: 2013/07/24生效日:2013/10/24)(HT68F016/017/016R/017R 產(chǎn)品終止信息)(HT66F016/HT66F016R 限用產(chǎn)品 公告日 : 2023/05/23 生效日 : 2023/08/23)(HT66F016/HT66F016R 產(chǎn)品終止訊息)HT6xF01x 系列單片機(jī)是具有 8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的 Flash 單片機(jī)。該系列單 片機(jī)具有一系列功能和特性，其 Flash 存儲(chǔ)器可多次編程的特性給用戶提供了 較大的方便。存儲(chǔ)器方面，還包含了一個(gè) RAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和一個(gè)可用于存儲(chǔ) 序號(hào)、 CPU 特性\n? VDD=5V，系統(tǒng)時(shí)鐘為 20MHz 時(shí)，指令周期為 0.2μs\n? 三種振蕩模式：\n? 多種工作模式：正常、低速、空閑和休眠\(yùn)n? 所有指令都可在 1 或 2 個(gè)指令周期內(nèi)完成\n? 63 條指令\n? 位操作指令\n? Flash 程序存儲(chǔ)：最大可達(dá) 2K×16\n? True EEPROM 存儲(chǔ)器：64×8\n? 14 個(gè)雙向 I/O 口\n? 多個(gè)定時(shí)器模塊用于時(shí)間測(cè)量、捕捉輸入、比較匹配輸出、PWM 輸出及單脈沖輸出\n? 雙時(shí)基功能，可提供固定時(shí)間的中斷信號(hào)\n? 低電壓檢測(cè)功能\n? 封裝類型：16-pin NSOP/SSOP\n? Flash 程序存儲(chǔ)器;

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Enhanced A/D Flash 8-Bit MCU

General Description The devices are Flash Memory type 8-bit high performance RISC architecture microcontrollers. Offering users the convenience of Flash Memory multi-programming features, these devices also include a wide range of functions and features. Other memory includes an area of RAM Dat

文件：4.66369 Mbytes 頁(yè)數(shù)：115 Pages

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Enhanced A/D Flash 8-Bit MCU

General Description The devices are Flash Memory type 8-bit high performance RISC architecture microcontrollers. Offering users the convenience of Flash Memory multi-programming features, these devices also include a wide range of functions and features. Other memory includes an area of RAM Dat

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0.9V Battery Flash A/D Type 8-Bit MCU

General Description The devices are Flash Memory type 8-bit high performance RISC architecture microcontrollers. Offering users the convenience of Flash Memory multi-programming features, these devices also include a wide range of functions and features. Other memory includes an area of RAM Data

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A/D Flash MCU with EEPROM

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A/D Flash MCU with EEPROM

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增強(qiáng)A/D 型Flash 單片機(jī)

該單片機(jī)是8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的Flash 型單片機(jī)，具有一系列功能和特性， 其Flash 存儲(chǔ)器可多次編程的特性給用戶提供了較大的方便。存儲(chǔ)器方面，還 包含了一個(gè)RAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和一個(gè)可用于存儲(chǔ)序列號(hào)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)等非易失性 數(shù)據(jù)的EEPROM 存儲(chǔ)器。在模擬特性方面，該單片機(jī)包含一個(gè)多通道12 位A/D 轉(zhuǎn)換器。還帶有兩個(gè)使 用靈活的定時(shí)器模塊，可提供定時(shí)功能、脈沖產(chǎn)生功能及PWM 產(chǎn)生等功能。 內(nèi)部看門(mén)狗定時(shí)器、低電壓復(fù)位和低電壓檢測(cè)等內(nèi)部保護(hù)特性，外加優(yōu)秀的抗 干擾和ESD 保護(hù)性能，確保單片機(jī)在惡劣的電磁干擾環(huán)境下可靠地運(yùn)行。該單片機(jī)提供了豐富的HXT、LXT、HIRC 和LIRC CPU 特性\n? VDD=5V，系統(tǒng)時(shí)鐘為 20MHz 時(shí)，指令周期為 0.2μs\n? 四種振蕩器類型：\n? 多種工作模式：正常、低速、空閑和休眠\(yùn)n? 所有指令都可在 1 或 2 個(gè)指令周期內(nèi)完成\n? 63 條指令\n? 位操作指令\n? Flash程序存儲(chǔ)：2K×16\n? EEPROM 存儲(chǔ)器：64×8 ( 僅存在于 HT66F0174)\n? 18 個(gè)雙向 I/O 口\n? 兩組 10-bit PTM\n? 8 通道 12-bit 的 A/D轉(zhuǎn)換器\n? 低電壓檢測(cè)功能\n? 封裝類型：20-pin SOP/SSOP;

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帶EEPROM A/D 型 Flash 單片機(jī)

該系列單片機(jī)是一款A(yù)/D 型具有8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的Flash 單片機(jī)。這些 單片機(jī)具有一系列功能和特性，其Flash 存儲(chǔ)器可多次編程的特性給用戶提供 了較大的方便。存儲(chǔ)器方面，還包含了一個(gè)RAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和一個(gè)可用于存 儲(chǔ)序號(hào)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)等非易失性數(shù)據(jù)的True EEPROM 存儲(chǔ)器。在模擬特性方面，該系列單片機(jī)包含一個(gè)多通道12 位A/D 轉(zhuǎn)換器和比較器功 能。還帶有多個(gè)使用靈活的定時(shí)器模塊，可提供定時(shí)功能、脈沖產(chǎn)生功能及 PWM 產(chǎn)生功能。內(nèi)部看門(mén)狗定時(shí)器、低電壓復(fù)位和低電壓檢測(cè)等內(nèi)部保護(hù)特 性，外加優(yōu)秀的抗干擾和ESD 保護(hù)性能，確保單片機(jī)在惡劣的電磁干擾環(huán)境下 可靠地運(yùn)行。該系 CPU 特性\n? VDD=5V，系統(tǒng)時(shí)鐘為20MHz 時(shí)，指令周期為0.2μs\n? 振蕩器類型\n? 內(nèi)建8/12/16MHz振蕩器，無(wú)需外部元件\n? 所有指令都可在1 或2 個(gè)指令周期內(nèi)完成\n? 63 條指令\n? 位操作指令\n? Flash程序存儲(chǔ)器：最大可達(dá)4K×16\n? True EEPROM 存儲(chǔ)器：最大可達(dá)128×8\n? 多達(dá)26 個(gè)雙向I/O 口\n? 多個(gè)定時(shí)器模塊用于時(shí)間測(cè)量、捕捉輸入、比較匹配輸出、PWM 輸出及單脈 沖輸出\n? 軟件控制6 個(gè)SCOM/SSEG 口和18 個(gè)SSEG 口1/3 bias LCD驅(qū)動(dòng)\n? 雙時(shí)基功能用以產(chǎn)生固定的中斷信號(hào)\n;

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