絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tbd/marking.html">TBD；Package：QFN；HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

Features ? +1.7 V to +1.95 V single-supply operation ? Low distortion negative signal handling capability with Ron typically 3Ω for Audio signal ? Control pin to open all switches and enter low power state ? Cross-talk audio channels (20 Hz to 20 kHz): -110dB ? -3dB bandwidth USB switches: 7

文件：365.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages

RENESAS

瑞薩

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tbd/marking.html">TBD；Package：QFN；HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

Features ? +1.7 V to +1.95 V single-supply operation ? Low distortion negative signal handling capability with Ron typically 3Ω for Audio signal ? Control pin to open all switches and enter low power state ? Cross-talk audio channels (20 Hz to 20 kHz): -110dB ? -3dB bandwidth USB switches: 7

文件：365.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages

RENESAS

瑞薩

HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

文件：204.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

IDT

HYBRID SWITCH WITH NEGATIVE SIGNAL HANDLING

文件：204.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

IDT

HS2330C

文件：216.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

GPIO OTP

HS2300-PE系列是一款低功耗，高速，高噪聲容限，EPROM/ROM基于8位CMOS工藝制造的單片機(jī)，采用RISC指令集，共有42條指令，除分支指令為兩個(gè)周期指令以外其余為單周期指令。這種易用、易記的指令集大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。HS2300-PE系列包含了上電復(fù)位(Power-on Reset ?POR)，掉電復(fù)位(Brown-out Reset BOR)，上電復(fù)位計(jì)數(shù)器（Power-up Reset Timer ?PWRT），振蕩啟動(dòng)計(jì)數(shù)器 (Oscillator Start-up Timer OST)，看門狗定時(shí)器(Watchdog Timer)，EPROM/ROM，SRAM， EEPR ◆ 42條RISC指令，除了程序分支指令是兩個(gè)周期，所有的指令都是單周期\n◆ 13位寬指令，8位寬數(shù)據(jù)路徑，5級(jí)深度硬件堆棧\n◆ 支持GOTO指令全ROM跳轉(zhuǎn)，支持全ROM子程序調(diào)用\n◆ 1K×13位程序存儲(chǔ)器\n◆ 65× 8位通用寄存器\n◆ 256×8位EEPROM\n◆ 運(yùn)行速度：DC - 20 MHz的時(shí)鐘輸入；DC - 100 ns指令周期\n◆ 直接、間接尋址方式\n◆ 擁有8位可編程預(yù)分頻器的8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器（定時(shí)器0）\n◆ 內(nèi)部上電復(fù)位電路（POR）、內(nèi)置低電壓檢測(cè)（LVD）用于欠壓復(fù)位（BOR）\n◆ 上電復(fù)位定時(shí)器（PWRT）和振蕩器啟動(dòng)定時(shí)器（OST）\n◆;

H-SUN

華芯微電子

0.5 ~ 2K Nomal IC (普通紅外型電路)

HS2303-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機(jī)，它內(nèi)部包含一個(gè)1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲(chǔ)器(OTP-ROM)。有14位選項(xiàng)位可滿足用戶要求，其中的保護(hù)位可用來(lái)防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供給用戶一個(gè)方便的開(kāi)發(fā)和檢驗(yàn)他們的程序的環(huán)境?？捎米灾凭幾g器進(jìn)行轉(zhuǎn)換。 ◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V\n◆ 工作溫度范圍：0℃~70℃\n◆ 工作頻率范圍：內(nèi)置RC 4MHz±2%\n◆ 低功耗：在休眠模式時(shí)為1uA\n◆ 1K*14位片內(nèi)ROM\n◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護(hù)程序不被讀出\n◆ 40*8bits片內(nèi)寄存器組（SRAM，一般寄存器）\n◆ 2組雙向標(biāo)準(zhǔn)I/O端口\n◆ 3級(jí)用于子程序嵌套的堆棧\n◆ 節(jié)能模式（SLEEP模式）\n◆ 每個(gè)指令周期為兩個(gè)時(shí)鐘周期，99.9%的指令為單周期指令\n◆ T-MODE型模式時(shí)，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個(gè)按鍵\n◆ M-MODE型時(shí)，最多可形成20(4*4+4;

H-SUN

華芯微電子

315/433 Encode + Transmit MCU (315/433編碼+射頻發(fā)射MCU)

HS2303-PT是一款低成本、高速度、高抗干擾，帶射頻傳輸?shù)?位CMOS制造的單片機(jī)。工作 電壓在2.0~3.6V之間，電池供電時(shí)，能保證絕大多數(shù)電池在電量完全耗盡前仍能正常使用；正常工 作溫度范圍在-20℃~70℃之間。芯片基于RISC架構(gòu)，僅有35條指令。除程序跳轉(zhuǎn)需要兩個(gè)周期外，其余所有的指令都是單周 期指令。內(nèi)部集成有1K*13-bit的一次性可編程只讀電存儲(chǔ)器(OTP-ROM)、上電復(fù)（POR）、欠壓 復(fù)位（BOR）、看門狗定時(shí)器、SRAM等電路，具有睡眠模式、工作模式等。 芯片應(yīng)用帶寬在300M~450MHz之間，在傳輸功率、工作電壓和工作溫度方面有著顯著的優(yōu)點(diǎn)。 當(dāng)外接50?負(fù) 單片機(jī)特征\n◆ 可編寫任意碼型\n◆ 工作電壓范圍：2.0V~3.6V\n◆ 1K*13位片內(nèi)ROM\n◆ 內(nèi)置RC4MHz±2%\n◆ 最多可構(gòu)成21個(gè)按鍵\n\n射頻特征\n◆ 完整的超高頻傳輸\n◆ 頻率范圍300MHz到450MHz\n◆ 比特率最高達(dá)10kbps\n◆ 輸出功率最高達(dá)13dBm\n◆ ASK/OOK調(diào)制\n◆ 極少的外圍器件\n◆ 符合ETSI_EN_300_220-1_V2.3.1標(biāo)準(zhǔn)\n◆ 符合FCC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)\n◆ 石英或陶瓷振蕩器\n◆ SOP16封裝;

H-SUN

華芯微電子

Package：3-SMD，鷗翼；包裝：散裝 類別：電容器 雙電層電容器（EDLC），超級(jí)電容器 描述：CAP 1200MF 5.5V -40-+85C

CAP-XX Ltd Supercapacitors

包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：NPN TRANSISTOR

MICROCHIP

微芯科技