GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER

General Description The HMC-ALH310 is a three stage GaAs HEMT MMIC Low Noise Amplifi er (LNA) which operates between 37 and 42 GHz. The HMC-ALH310 features 22 dB of small signal gain, 3.5 dB of noise fi gure and an output power of +12 dBm at 1dB compression from a +2.5V supply voltage. All bond p

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亞德諾

GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 37 - 42 GHz

General Description The HMC-ALH310 is a three stage GaAs HEMT MMIC Low Noise Amplifi er (LNA) which operates between 37 and 42 GHz. The HMC-ALH310 features 22 dB of small signal gain, 3.5 dB of noise fi gure and an output power of +12 dBm at 1dB compression from a +2.5V supply voltage. All bond p

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HITTITE

ACTIVE BIAS CONTROLLER

General Description HMC981 is an active bias controller that automatically adjusts the gate voltage of an external amplifier to achieve constant bias current. It can be used to bias any enhancement and depletion type amplifiers operating in Class-A regime with Drain voltages from 4V to 12V and dr

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HITTITE

低噪聲放大器芯片，37 - 42 GHz

HMC-ALH310是一款三級GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信號增益、3.5 dB噪聲系數(shù)和+12 dBm輸出功率（1 dB壓縮），采用+2.5V電源電壓。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化，放大器已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。 \n\n 這款多功能LNA兼容傳統(tǒng)的芯片貼裝方式以及熱壓縮和熱超聲線焊工藝，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ω環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。 \n\n 應用 \n\n 點對點無線電 點對多點無線電 ? 噪聲系數(shù)： 3.5 dB \n\n? P1dB： +12 dBm \n\n? 增益： 22 dB \n\n? 電源電壓： +2.5V \n\n? 50 Ω匹配輸入/輸出 \n\n? 裸片尺寸： 1.80 x 0.73 x 0.1 mm;

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低噪聲放大器芯片，37 - 42 GHz

HMC-ALH310是一款三級GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為37至42 GHz。 HMC-ALH310具有22 dB小信號增益、3.5 dB噪聲系數(shù)和+12 dBm輸出功率（1 dB壓縮），采用+2.5V電源電壓。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化，放大器已完全鈍化以實現(xiàn)可靠操作。 \n\n 這款多功能LNA兼容傳統(tǒng)的芯片貼裝方式以及熱壓縮和熱超聲線焊工藝，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ω環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。 \n\n 應用 \n\n 點對點無線電 點對多點無線電 ? 噪聲系數(shù)： 3.5 dB \n? 增益： 22 dB \n? 50 Ω匹配輸入/輸出 \n? 裸片尺寸： 1.80 x 0.73 x 0.1 mm \n;

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