| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
HM30N10D | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：608.79 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | HMSEMI 華之美半導(dǎo)體 | HMSEMI | |
HM30N10D | N溝道中壓大電流MOS(100V以上) | HmpowerSemi 虹美功率 | HmpowerSemi | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：649.21 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | HMSEMI 華之美半導(dǎo)體 | HMSEMI | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.12796 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | LEIDITECH 雷卯電子 | LEIDITECH | ||
N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a TO-220 package Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Features ? Among the lowest RDS(o 文件：1.05035 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS |
技術(shù)參數(shù)
- 封裝（Package）：
DFN5X6-8L
- 溝道（Polarity）：
N溝道
- VDS(Max)BVDSS(V)：
100.00V
- ID(Max)ID(A)：
30.00A
- IDM：
90.00A
- VTH(Typ)：
3.00V
- VGS：
20.00V
- RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
12.00mΩ
- RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
- RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
- 直接替代型號（compatible）：
AON6482/AON6484/AON6486/Si7456DDP/SM1A24NSKP/IRFH5110/IRFH5210/AON6452/IRFH5053/IRLH5030/IRFH7110/SiR698DP/Si7454DDP/IRFH5010
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/臺灣微碧 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
21+ |
QFN |
10065 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
24+ |
QFN |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
VBSEMI/臺灣微碧 |
24+ |
QFN |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6-8L |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
VBSEMI |
20+ |
QFN |
10115 |
詢價(jià) | |||
FY |
2023+ |
TO-252 |
48000 |
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站 |
詢價(jià) | ||
華之美 |
兩年內(nèi) |
NA |
1181 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
H |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) |
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