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                >絲印反查>HFA3127BZ
                
    
            
    
                
    
                    
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    HFA3127BZ
    絲?。?strong>HFA3127BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays
    
The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi
    文件：699.33 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages
    RENESAS
    瑞薩
    

    HFA3127BZ
    絲印：HFA3127BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays
    
Features
? NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
? NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
? NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
? PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . .
    文件：790.14 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages
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    HFA3127BZ96
    絲?。?strong>HFA3127BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays
    
Features
? NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
? NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
? NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
? PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . .
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    HFA3127BZ
    絲印：HFA3127BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays
    
Features
? NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
? NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
? NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
? PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . .
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    HFA3127BZ
    絲印：HFA3127BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays
    
The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi
    文件：699.33 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages
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    HFA3127BZ96
    絲印：HFA3127BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays
    
Features
? NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
? NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
? NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
? PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . .
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    RENESAS
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    HFA3127BZ
    Ultra High Frequency Transistor Arrays
    文件：298.68 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages
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