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HEF4720BF	文件：180.05 Kbytes Page：16 Pages	256-bit, 1-bit per word random access memories DESCRIPTION The HEF4720B and HEF4720V are 256-bit, 1-bit per word random access memories with 3-state outputs. The memories are fully decoded and completely static. Recommended supply voltage range for HEF4720B is 3 to 15 V and for HEF4720V is 4,5 to 12,5 V; minimum stand-by voltage for both type 文件：180.05 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
HEF4720BN	文件：180.05 Kbytes Page：16 Pages	256-bit, 1-bit per word random access memories DESCRIPTION The HEF4720B and HEF4720V are 256-bit, 1-bit per word random access memories with 3-state outputs. The memories are fully decoded and completely static. Recommended supply voltage range for HEF4720B is 3 to 15 V and for HEF4720V is 4,5 to 12,5 V; minimum stand-by voltage for both type 文件：180.05 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
HEF4720BP	文件：180.05 Kbytes Page：16 Pages	256-bit, 1-bit per word random access memories DESCRIPTION The HEF4720B and HEF4720V are 256-bit, 1-bit per word random access memories with 3-state outputs. The memories are fully decoded and completely static. Recommended supply voltage range for HEF4720B is 3 to 15 V and for HEF4720V is 4,5 to 12,5 V; minimum stand-by voltage for both type 文件：180.05 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
HEF4720BT	文件：180.05 Kbytes Page：16 Pages	256-bit, 1-bit per word random access memories DESCRIPTION The HEF4720B and HEF4720V are 256-bit, 1-bit per word random access memories with 3-state outputs. The memories are fully decoded and completely static. Recommended supply voltage range for HEF4720B is 3 to 15 V and for HEF4720V is 4,5 to 12,5 V; minimum stand-by voltage for both type 文件：180.05 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI

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