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HAT2199R	文件：114.39 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ? High speed switching ? Capable of 4.5 V gate drive ? Low drive current ? High density mounting ? Low on-resistance RDS(on) = 13.0m? typ. (at VGS= 10 V) 文件：114.39 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
HAT2199R	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs and IGBT for PDP 文件：136.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
HAT2199R-EL-E	文件：114.39 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ? High speed switching ? Capable of 4.5 V gate drive ? Low drive current ? High density mounting ? Low on-resistance RDS(on) = 13.0m? typ. (at VGS= 10 V) 文件：114.39 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
HAT2199R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching ?? High speed switching\n?? Capable of 4.5 V gate drive\n?? Low drive current\n?? High density mounting\n?? Low on-resistance RDS(on) = 13.0m? typ. (at VGS= 10 V);	Renesas 瑞薩	Renesas

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更多HAT2199R供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:22:00