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HAF2008	文件：24.94 Kbytes Page：6 Pages	SILICON N CHANNEL MOSFET SERIES POWER SWITCHING This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumpt 文件：24.94 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
HAF2008	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thermal MOS FETs	HITACHI 日立	HITACHI
HER2008A	文件：622.56 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Heatsink Dual Common Anode High Efficiency Rectifiers 文件：622.56 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	THINKISEMI 思祁半導體	THINKISEMI
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更多HAF2008供應(yīng)商更新時間2026-1-22 10:04:00