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H30R1203	文件：33.14 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.14 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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IHW30N135R3	文件：1.72064 Mbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/h30r1353/marking.html">H30R1353；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: ? Offers new higher breakdown voltage to 1350V for improved reliability ? Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only ? TRENCHSTOPTM technology offering: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavi 文件：1.72064 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IHW30N135R3	文件：2.05144 Mbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/h30r1353/marking.html">H30R1353；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: ?Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly ?TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit 文件：2.05144 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IHW30N140R5L	文件：1.50974 Mbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/h30qr5l/marking.html">H30QR5L；Package：PG-TO247-3-STD-NN2.5；Reverse-Conducting IGBT with monolithic body diode Features ? VCE = 1400 V ? IC = 30 A ? Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only ? Very tight parameter distribution ? High ruggedness, temperature stable behavior ? Very low VCEsat ? Easy paralleling capability due to positive temperature coe 文件：1.50974 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IHW30N90R	文件：304 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/h30r90/marking.html">H30R90；Package：PG-TO-247-3；Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: ? 1.5V typical saturation voltage of IGBT ? Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat 文件：304 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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