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H2N5401	文件：38.23 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features ? Complements to NPN Type H2N5551 ? High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA)) 文件：38.23 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	HSMC 華昕	HSMC
H2N5401	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-92?Bipolar Transistor	HSMC 華昕	HSMC
L2N5401	文件：99.22 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：99.22 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	LRC 樂山無線電	LRC
ST2N5401	文件：80.63 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the NPN transistors ST 2N5550 and ST 2N5551 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 文件：80.63 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
ST2N5401	文件：201.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors 文件：201.24 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半導體	SEMTECH_ELEC

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