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H2369	文件：242.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of mA to 100mA 文件：242.91 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	HUASHAN 華汕電子器件	HUASHAN
H2369	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用晶體管	Huashan 華汕電子器件	Huashan
HCH2369	文件：444.1 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：444.1 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
HM2369	文件：560.35 Kbytes Page：3 Pages	30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：560.35 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HMSEMI 華之美半導體	HMSEMI
HMBT2369	文件：30.31 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT2369 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features ? Low Collector Saturation Voltage ? High speed switching Transistor 文件：30.31 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HSMC 華昕	HSMC

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更多H2369供應(yīng)商更新時間2026-1-22 11:09:00