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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
H11D3M	文件：228.9 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：228.9 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
H11D3M	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers Description The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are phototransistor?type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six?pin dual?in?line package. Fea 文件：339.94 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
H11D3M	文件：300 bytes Page：1 Pages	6 引腳 DIP 高壓光電晶體管輸出光耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔離器的光電晶體管類型。一個(gè)砷化鎵紅外發(fā)光二極管與一個(gè)高壓NPN硅光電二極管耦合。該器件提供標(biāo)準(zhǔn)塑封6引腳雙列直插封裝。 ? 高電壓：\n? MOC8204M, BVCEO= 400 V\n? H11D1M, BVCEO= 300 V\n? H11D3M, BVCEO= 200 V\n? 安全和法規(guī)認(rèn)證：\n? UL1577，4170 VACRMS（1 分鐘）\n? DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作絕緣電壓;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channels：
1
CTR (Min) (%)：
20
CTR tested @ IF (mA)：
10
VCE(sat) (Max) (V)：
0.4
BVCEO (Min) (V)：
200
BVCBO (Min) (V)：
200
BVECO (Min) (V)：
7
ton (Max) (μs)：
5
toff (Max) (μs)：
5
VISO (Min) (V)：
4200
TOPR (Min) (°C)：
-40
TOPR (Max) (°C)：
100
Package Type：
PDIP-6

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多H11D3M供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:12:00

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