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GS65R030Q4A	文件：1.40642 Mbytes Page：10 Pages	絲?。?strong>GS65R030；Package：TO-247-4；N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits inclu 文件：1.40642 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	GOFORD 谷峰半導體	GOFORD
GS65R030Q4A	文件：1.40642 Mbytes Page：10 Pages	絲印：GS65R030；Package：TO-247-4；N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits inclu 文件：1.40642 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	GOFORD 谷峰半導體	GOFORD

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更多GS65R030供應商更新時間2026-1-22 9:14:00