5V / CWDM / 2.125 Gb/s Single-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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5V / CWDM / 2.125 Gb/s Single-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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5V / CWDM / 2.125 Gb/s Single-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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5V / CWDM / 2.125 Gb/s Single-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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5V / CWDM / 2.125 Gb/s Single-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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5V / 1550 nm / 2.125 Gb/s Signle-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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5V / 1550 nm / 2.5 Gb/s Signle-Mode Gigabit Interface Converter (GBIC)

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臥式鋁電解電容器

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至美

N-channel 30V 1.05mΩ（典型值）功率MOSFET

30V 低壓 SGT MOSFET， 實(shí)現(xiàn)了超低導(dǎo)通電阻，使該器件適用于電池應(yīng)用。得益于在開關(guān)性能和導(dǎo)通性能之間的出色平衡，GBS030R8T 在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲卸继峁┝朔浅８叩男?。GBS030R8TLAR 提供 TOLL-8 封裝。 ? 30V 擊穿電壓\n? 超低 RDS-ON=1.05mΩ\n? 在高結(jié)溫 (Tj) 下具有超低 RDS-ON\n? 高可靠性\n? TOLL-8 封裝;

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顧邦半導(dǎo)體

N-channel 30V 0.85mΩ（典型值）功率MOSFET

30V 低壓 SGT MOSFET， 實(shí)現(xiàn)了超低導(dǎo)通電阻，使該器件適用于電池應(yīng)用。得益于在開關(guān)性能和導(dǎo)通性能之間的出色平衡，GBS030R8T 在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲卸继峁┝朔浅８叩男省BS030R8TPMAR 提供 PDFN5*6-8L 封裝。 ? 30V 擊穿電壓\n? 超低 RDS-ON=0.85mΩ\n? 在高結(jié)溫 (Tj) 下具有超低 RDS-ON\n? 高可靠性\n? PDFN5*6-8L 封裝;

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顧邦半導(dǎo)體