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G2K2P10S2E	文件：834.14 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g2k2p10s2/marking.html">G2K2P10S2；Package：SOP-8Dual；Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2K2P10S2E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：834.14 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
G2K2P10S2E	文件：300 bytes Page：1 Pages	-100V P+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
G2R-1-24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 歐姆龍上傳：上海德懿電子科技有限公司	OMRON
G2R-1-DC24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 歐姆龍上傳：上海德懿電子科技有限公司銷售二部	OMRON
G2R-1-E-DC12V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	歐姆龍上傳：深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	歐姆龍

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