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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
G080N10T	文件：1.04223 Mbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/g080n10/marking.html">G080N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.04223 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
G080N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
GT080N10K	文件：1.06561 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.06561 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
GT080N10KA	文件：952.77 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：952.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
GT080N10M	文件：1.13043 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.13043 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD

技術(shù)參數(shù)

Package：
TO-220
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
100
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
140
Pd(W)：
236
Vgs(th)max(V)：
2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
5.8
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
6.4
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
7.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
8
Qg(nC)：
192
Qgs(nC)：
49
Qgd(nC)：
23
Ciss(pF)：
13912
Crss(pF)：
363
Technology：
TRENCH

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	G080N10T		24+	N/A	57000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	G080P06M	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	國(guó)產(chǎn)	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	G080Y1-T01	CMO	24+		65200		詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	G080Y1-T01	CHIMEI奇美	23+	800480	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	G080Y1-T01	CMO	23+		7300	專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	G081	G	24+	S	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	G081	G	23+	S	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	G081	G	2026+	S	2000	原裝正品,假一罰十!	詢價(jià)
浙江永芯科技有限公司	G081518	FERRAZ/羅蘭熔斷器	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	5000	原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊可控硅晶閘管熔斷器質(zhì)保	詢價(jià)
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	G083	ASTEC	2026+	SOT353	12500	全新原裝正品,本司專(zhuān)業(yè)配單,大單小單都配	詢價(jià)

更多G080N10T供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 11:06:00

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