P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G030P04T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

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GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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谷峰半導(dǎo)體

微功率1～3W G_S-2WR2系列，2W，DC-DC模塊電源（19.5*9.8*12.5mm）

是小體積，高效率的微小功率隔離非穩(wěn)壓輸出DC/DC模塊電源。 ○?特點(diǎn)：定電壓輸入，隔離非穩(wěn)壓雙路輸出，1W功率○?隔離電壓：6000Vdc\n○?效率 高達(dá) ：86%\n○?工作環(huán)境溫度：-40°C～+ 85°С\n○?MTBF≥350萬(wàn)小時(shí) (35×105Hrs)\n○?符合RoHS指令\n○?線性調(diào)節(jié)率 (輸入電壓變化±1%時(shí))：±1.2%?\n○?負(fù)載調(diào)節(jié)率(10%-100%滿載) ：15%\n○?紋波 / 噪聲(20MHz帶寬) 150mVp-p?\n○?小型SIP封裝\n○?無(wú)需外加元件\n○?短路保護(hù)，自動(dòng)恢復(fù)\n○?塑料外殼，滿足UL94-V0要求;

HUIZHI

匯智

微功率1～3W G_S-2WR2系列，2W，DC-DC模塊電源（19.5*9.8*12.5mm）

是小體積，高效率的微小功率隔離非穩(wěn)壓輸出DC/DC模塊電源。 ○?特點(diǎn)：定電壓輸入，隔離非穩(wěn)壓雙路輸出，1W功率○?隔離電壓：6000Vdc\n○?效率 高達(dá) ：86%\n○?工作環(huán)境溫度：-40°C～+ 85°С\n○?MTBF≥350萬(wàn)小時(shí) (35×105Hrs)\n○?符合RoHS指令\n○?線性調(diào)節(jié)率 (輸入電壓變化±1%時(shí))：±1.2%?\n○?負(fù)載調(diào)節(jié)率(10%-100%滿載) ：15%\n○?紋波 / 噪聲(20MHz帶寬) 150mVp-p?\n○?小型SIP封裝\n○?無(wú)需外加元件\n○?短路保護(hù)，自動(dòng)恢復(fù)\n○?塑料外殼，滿足UL94-V0要求;

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微功率1～3W G_S-1WR2系列，1W,DC-DC模塊電源（19.5*9.8*12.5mm）

是小體積，高效率的微小功率隔離非穩(wěn)壓輸出DC/DC模塊電源。 ○??特點(diǎn)：定電壓輸入，隔離非穩(wěn)壓雙路輸出，1W功率○??隔離電壓：6000Vdc\n○??效率 高達(dá) ：80%\n○??工作環(huán)境溫度：-40°C～+ 85°С\n○??MTBF≥350萬(wàn)小時(shí) (35×105Hrs)\n○??符合RoHS指令\n○??線性調(diào)節(jié)率 (輸入電壓變化±1%時(shí))：±1.2%?\n○??負(fù)載調(diào)節(jié)率(10%-100%滿載) ：15%\n○??紋波 / 噪聲(20MHz帶寬) 150mVp-p?\n○??小型SIP封裝\n○??無(wú)需外加元件\n○??短路保護(hù)，自動(dòng)恢復(fù)\n○??塑料外殼，滿足UL94-V0要求;

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