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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FTD2114K	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：126.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	FS	FS
FTD2114KVLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bv/marking.html">BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：126.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	FS	FS
FTD2114KVLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bv/marking.html">BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：126.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	FS	FS
FTD2114KWLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bw/marking.html">BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：126.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	FS	FS
FTD2114KWLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bw/marking.html">BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：126.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	FS	FS
FTD2114K	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR:Genreal Purpuse	First Silicon	First Silicon

技術(shù)參數(shù)

PC：
200
IC：
500
VCBO：
25
VCEO：
20
VCE(SAT)：
0.4
HFE(min)：
820
HFE(max)：
2700
FT：
350
Package：
SOT-23

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市海天鴻電子科技有限公司	FTD220	IPS	1728+	TO-252	8500	只做原裝進(jìn)口,假一罰十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	FTD220	IPS	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FTD220	I	TO-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FTD220	IPS	1932+	TO-252	1610	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市柯爾基電子有限公司	FTD220	IPS	23+24	TO-252	56983	原裝正品,原盤原標(biāo),提供BOM一站式配單	詢價(jià)
深圳市順鑫晟科技有限公司	FTD220	IPS	25+	TO-252	188600	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	FTD220	IPS	25+	SOT-252	2500	原裝正品,假一罰十!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FTD220其他被動(dòng)元件	IPS	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	FTD220其他被動(dòng)元件	IPS	24+	TO-252	60000		詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	FTD36N06N	VBsemi(臺(tái)灣微碧)	2447	TO-252	105000	2500個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)

更多FTD2114K供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 15:09:00

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