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FTB1386	文件：250.91 Kbytes Page：3 Pages	Excellent DC current gain characteristics 文件：250.91 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	FS	FS
FTB1386	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR:Genreal Purpuse	First Silicon	First Silicon
GI1386	文件：213.74 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Description The GI1386 is designed for low frequency applications. Features ? Low VCE(sat) =-0.55V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ? Excellent DC current gain characteristics 文件：213.74 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	GTM 勤益投資控股	GTM
GI1386	文件：215.77 Kbytes Page：2 Pages	P N P E P I T A X I A L S I L I C O N T R A N S I S T O R 文件：215.77 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ETL 亞歷電子	ETL
GJ1386	文件：159.68 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：159.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	GTM 勤益投資控股	GTM

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