Schottky Barrier Diode

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NIEC

Schottky Barrier Diode

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NI

恩艾

Schottky Barrier Diode

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KSS

京瓷

650V 集成電源開關，帶谷開關控制，用于 13W 離線反激轉換器

谷底開關轉換器(VSC)總體上呈現(xiàn)出比開關頻率固定的傳統(tǒng)硬開關轉換器更低的EMI和更高的功率轉換效率。FSQ系列是專為最少外部元件和交替谷底開關而設計的集成式脈寬調(diào)制(PWM)控制器和SenseFET。PWM控制器包括集成式固定頻率振蕩器、欠壓閉鎖(UVLO)、前沿消隱(LEB)、優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、內(nèi)部軟啟動、用于環(huán)路補償?shù)臏囟妊a償精密電流源和自保護電路。與分立式MOSFET和PWM控制器解決方案相比，F(xiàn)SQ-series（H或M）既可減少總成本、組件數(shù)量、尺寸和重量，同時又能提高效率、生產(chǎn)力和系統(tǒng)可靠性。該器件具有非常適合以經(jīng)濟高效方式設計谷底開關反激轉換器的基本平臺。 ?針對谷底開關(VSC)進行了優(yōu)化?\n?通過變頻控制和固有頻率調(diào)制實現(xiàn)低EMI?\n?通過最小電壓開關實現(xiàn)高效率?\n?在寬負載和輸入電壓變化時狹窄的頻率變化范圍?\n?先進的突發(fā)模式運行可實現(xiàn)低待機功耗?\n?逐脈沖限流?\n? 各種保護功能：過載保護 (OLP)、過壓保護 (OVP)、異常過流保護 (AOCP)、內(nèi)部熱關斷 (TSD)\n?帶滯后的欠壓閉鎖 (UVLO)\n?內(nèi)部啟動電路\n?內(nèi)部高電壓感應 FET (650 V)\n?內(nèi)置軟啟動 (15 ms);

ONSEMI

安森美半導體

具有100kHz 的 700V 集成電源開關，用于 13W 離線反激轉換器

FSQ0170RNA和FSQ0270RNA包含集成式電流模式脈寬調(diào)制器(PWM)和耐雪崩700V Sense FET。它專門設計用于外部組件最少的高性能離線開關電源(SMPS)。集成的PWM控制器特性包括：固定頻率生成振蕩器、欠壓閉鎖(UVLO)保護、前沿消隱(LEB)、優(yōu)化的柵極接通/關斷驅(qū)動器、熱關斷(TSD)保護和用于環(huán)路補償和故障保護電路的溫度補償精密電流源。與分立式MOSFET和控制器或RCC開關轉換器解決方案相比，F(xiàn)SQ0170RNA和FSQ0270RNA能夠減少組件總數(shù)、設計尺寸和重量，同時提高效率、生產(chǎn)力和系統(tǒng)可靠性。這些器件提供了一個非常適合經(jīng)濟高效的反激式轉換器設計的基礎平 ?內(nèi)部雪崩耐用 700 V SenseFET\n?在230 VAC和0.5W負載條件下，利用突發(fā)模式操作，功耗僅0.8W\n?精確的固定工作頻率，100kHz\n?內(nèi)部啟動電路和內(nèi)置軟啟動\n?逐脈沖限流和自動重啟模式\n?過壓保護(OVP)、過載保護(OLP)、內(nèi)部熱關斷功能(TSD)\n?欠壓閉鎖(UVLO)\n?低工作電流 (3 mA)\n?可調(diào)節(jié)峰值限流;

ONSEMI

安森美半導體

交流/直流轉換器 SMPS Power switch 2A, 650V

ONSEMI

安森美半導體

Package：8-SMD，鷗翼；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） AC DC 轉換器，離線開關 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） AC DC 轉換器，離線開關 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） AC DC 轉換器，離線開關 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP

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