絲印：FSB50550A；Package：SPM5P-023；Motion SPM 5 Series

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Motion SPM 5 Series Version 2 User?? Guide

文件：4.4082 Mbytes 頁(yè)數(shù)：28 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Smart Power Module (SPM?)

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fsb50550ab/marking.html">FSB50550AB；Package：SPM23DD-21L；Smart Power Module (SPM)

文件：1.19314 Mbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fsb50550as/marking.html">FSB50550AS；Package：SPM5Q-023；Motion SPM 5 Series

文件：718.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Motion SPMR 5 Series

文件：611.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages

FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

絲印：FSB50550AT；Package：SPM5N-023；Motion SPM 5 Series

文件：742.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

智能功率模塊，500 V，5A

FSB50550A 是先進(jìn) Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品，基于快速恢復(fù) MOSFET（FRFET?）技術(shù)，用作小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用（如風(fēng)扇和泵）的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50550A包含六個(gè)FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個(gè)具有溫度感測(cè)功能的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器HVIC及三個(gè)自舉二極管，在一個(gè)緊湊型封裝中完全隔離并進(jìn)行優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)熱性能。 FSB50550A通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾（EMI）特性。 由于使用MOSFET作為電源開(kāi)關(guān)，F(xiàn)SB50550A比IGBT功率模塊具有強(qiáng)得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)（SOA）。 FSB50550A是用于裝配空間受到限制的緊湊型可靠 ?500V RDS(on)=1.4Ω (最大值) FRFET?MOSFET 三相逆變器，包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個(gè)獨(dú)立開(kāi)放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測(cè)\n?HVIC可實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)和欠壓保護(hù)\n?高電平有效接口，可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對(duì)低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測(cè)\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

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安森美半導(dǎo)體

Package：23-PowerDIP 模塊（0.573"，14.56mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動(dòng)器模塊 描述：MODULE SPM 500V 2A 23PWRDIP

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安森美半導(dǎo)體

智能功率模塊，500V，5A

FSB50550AS 是先進(jìn)的 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品，基于快速恢復(fù) MOSFET（FRFET?）技術(shù)，用作小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用（如風(fēng)扇和泵）的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50550AS包含六個(gè)FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個(gè)具有溫度感測(cè)功能的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器HVIC及三個(gè)自舉二極管，在一個(gè)緊湊型封裝中完全隔離并進(jìn)行優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)熱性能。 FSB50550AS通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾（EMI）特性。 由于使用MOSFET作為電源開(kāi)關(guān)，F(xiàn)SB50550AS比IGBT功率模塊具有強(qiáng)得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)（SOA）。 FSB50550AS是用于裝配空間受到限制 ?500V RDS(on)=1.4Ω(最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器，包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個(gè)獨(dú)立開(kāi)放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測(cè)\n?HVIC可實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)和欠壓保護(hù)\n?高電平有效接口，可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對(duì)低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測(cè)\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?濕度敏感等級(jí)(MSL) 3\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);

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安森美半導(dǎo)體