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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fsb50250at/marking.html">FSB50250AT;Package:SPM5N-023;Motion SPM 5 Series 文件:765.3 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
FSB50250A | 智能功率模塊,500V,2A FSB50250A 是先進 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品,基于快速恢復 MOSFET(FRFET?)技術(shù),用作小功率電機驅(qū)動應(yīng)用(如風扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50250A 包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管,在一個緊湊型封裝中完全隔離并進行優(yōu)化,以實現(xiàn)熱性能。 FSB50250A 通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。 由于使用 MOSFET 作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50250A 比 IGBT 功率模塊具有強得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA)。 FSB50250A 是用于裝配空間受到 ?500V RDS(on)=3.8Ω (最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器,包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護\n?高電平有效接口,可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?符合RoHS標準; | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | |
FSB50250A | Package:23-PowerDIP 模塊(0.573",14.56mm);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | |
智能功率模塊,500V,2A FSB50250AS 是先進 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品,基于快速恢復 MOSFET(FRFET?)技術(shù),用作小功率電機驅(qū)動應(yīng)用(如風扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50250AS包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管,在一個緊湊型封裝中完全隔離并進行優(yōu)化,以實現(xiàn)熱性能。 FSB50250AS通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。 由于使用MOSFET作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50250AS比IGBT功率模塊具有強得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA)。 FSB50250AS是用于裝配空間受到限制的 ?500V RDS(on)=3.8Ω(最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器,包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護\n?高電平有效接口,可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?濕度敏感等級(MSL) 3\n?符合RoHS標準; | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
智能功率模塊 (IPM),運動控制 FSB50250AT 是先進 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品,基于快速恢復 MOSFET(FRFET?)技術(shù),用作小功率電機驅(qū)動應(yīng)用(如風扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50250AT包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管,在一個緊湊型封裝中完全隔離并進行優(yōu)化,以實現(xiàn)熱性能。 FSB50250AT通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。 由于使用MOSFET作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50250AT比IGBT功率模塊具有強得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA)。 FSB50250AT 是用于裝配空間受到限制 ?500V RDS(on)=3.8Ω (最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器,包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護\n?高電平有效接口,可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管; | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
Package:23-PowerSMD 模塊,鷗翼;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRSMD | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI | ||
Package:23-PowerDIP 模塊(0.551",14.00mm);包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP | ONSEMI 安森美半導體 | ONSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
FSB50250A
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊
- 系列:
Motion SPM? 5
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 類型:
IGBT
- 配置:
3 相
- 電壓 - 隔離:
1500Vrms
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
23-PowerDIP 模塊(0.573",14.56mm)
- 描述:
MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SPM-23FD |
1097 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SPM23 |
32360 |
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