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          FSB50250AT

          絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/fsb50250at/marking.html">FSB50250AT;Package:SPM5N-023;Motion SPM 5 Series

          文件:765.3 Kbytes 頁數(shù):13 Pages

          ONSEMI

          安森美半導體

          FSB50250A

          智能功率模塊,500V,2A

          FSB50250A 是先進 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品,基于快速恢復 MOSFET(FRFET?)技術(shù),用作小功率電機驅(qū)動應(yīng)用(如風扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50250A 包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管,在一個緊湊型封裝中完全隔離并進行優(yōu)化,以實現(xiàn)熱性能。 FSB50250A 通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。 由于使用 MOSFET 作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50250A 比 IGBT 功率模塊具有強得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA)。 FSB50250A 是用于裝配空間受到 ?500V RDS(on)=3.8Ω (最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器,包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護\n?高電平有效接口,可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?符合RoHS標準;

          ONSEMI

          安森美半導體

          FSB50250A

          Package:23-PowerDIP 模塊(0.573",14.56mm);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP

          ONSEMI

          安森美半導體

          FSB50250AS

          智能功率模塊,500V,2A

          FSB50250AS 是先進 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品,基于快速恢復 MOSFET(FRFET?)技術(shù),用作小功率電機驅(qū)動應(yīng)用(如風扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50250AS包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管,在一個緊湊型封裝中完全隔離并進行優(yōu)化,以實現(xiàn)熱性能。 FSB50250AS通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。 由于使用MOSFET作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50250AS比IGBT功率模塊具有強得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA)。 FSB50250AS是用于裝配空間受到限制的 ?500V RDS(on)=3.8Ω(最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器,包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護\n?高電平有效接口,可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管\n?濕度敏感等級(MSL) 3\n?符合RoHS標準;

          ONSEMI

          安森美半導體

          FSB50250AT

          智能功率模塊 (IPM),運動控制

          FSB50250AT 是先進 Motion SPM? 5 系列產(chǎn)品,基于快速恢復 MOSFET(FRFET?)技術(shù),用作小功率電機驅(qū)動應(yīng)用(如風扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案。 FSB50250AT包含六個FRFET MOSFET產(chǎn)品、三個具有溫度感測功能的半橋柵極驅(qū)動器HVIC及三個自舉二極管,在一個緊湊型封裝中完全隔離并進行優(yōu)化,以實現(xiàn)熱性能。 FSB50250AT通過優(yōu)化開關(guān)速度和減少寄生電感具有低電磁干擾(EMI)特性。 由于使用MOSFET作為電源開關(guān),F(xiàn)SB50250AT比IGBT功率模塊具有強得多的耐用性和更大的安全工作區(qū)(SOA)。 FSB50250AT 是用于裝配空間受到限制 ?500V RDS(on)=3.8Ω (最大值) FRFET? MOSFET 三相逆變器,包括HVIC\n?下橋 MOSFET 的三個獨立開放式發(fā)射極引腳用于三支路電流感測\n?HVIC可實現(xiàn)柵極驅(qū)動和欠壓保護\n?高電平有效接口,可用于 3.3V/5V 邏輯電平\n?針對低電磁干擾進行優(yōu)化\n?1500Vrms/1min 的額定隔離電壓。\n?內(nèi)置于HVIC的溫度感測\n?封裝中的嵌入式自舉二極管;

          ONSEMI

          安森美半導體

          FSB50250AS

          Package:23-PowerSMD 模塊,鷗翼;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRSMD

          ONSEMI

          安森美半導體

          FSB50250AT

          Package:23-PowerDIP 模塊(0.551",14.00mm);包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP

          ONSEMI

          安森美半導體

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號:

            FSB50250A

          • 制造商:

            onsemi

          • 類別:

            分立半導體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊

          • 系列:

            Motion SPM? 5

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 類型:

            IGBT

          • 配置:

            3 相

          • 電壓 - 隔離:

            1500Vrms

          • 安裝類型:

            通孔

          • 封裝/外殼:

            23-PowerDIP 模塊(0.573",14.56mm)

          • 描述:

            MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP

          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          onsemi(安森美)
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          一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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          更多FSB50250A供應(yīng)商 更新時間2026-1-21 23:00:00
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