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首頁 >FQU2N50B>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FQU2N50B	文件：597.16 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：597.16 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FQU2N50B	文件：330.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=1.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：330.37 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FQU2N50B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 溝道 QFET? MOSFET 該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術已專門定制用來降低導通電阻，并提供卓越的開關性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。 ?1.6 A、500 V、RDS(on) = 5.3 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 0.8 A\n?低柵極電荷（典型值 6.0 nC)\n?低 Crss（典型值 4.3 pF)\n?快速開關\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 性能;	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
KQB2N50	文件：62.93 Kbytes Page：2 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：62.93 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
KSMD2N50	文件：1.63421 Mbytes Page：8 Pages	500V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.63421 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
KSMU2N50	文件：1.63421 Mbytes Page：8 Pages	500V N-CHANNEL MOSFET 文件：1.63421 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI

技術參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
500
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
3.7
ID Max (A)：
1.6
PD Max (W)：
30
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
5300
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6
Ciss Typ (pF)：
180
Package Type：
IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

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更多FQU2N50B供應商更新時間2026-1-21 16:30:00

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