isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=3.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.95Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N 溝道 QFET? MOSFET 800V, 3.3A, 1.95?

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?3.3A, 800V, RDS(on)= 1.95Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.65A柵極電荷低（典型值：31nC)\n?低 Crss（典型值14pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% 封裝絕緣測試\n?100% package isolation tested;

ONSEMI

安森美半導體

Power switch circuit of adaptor and charger

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HMSEMI

華之美半導體

N-Channel Enhancement Mode

Standard Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features ● International standard packages ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Low package inductance (

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IXYS

艾賽斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

無錫固電