100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has bl. Features ? -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05? @VGS = -10 V ? Low gate charge ( typical 6.3 nC) ? Low Crs

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel QFET? MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，P 溝道，QFET?，-100 V，-3.6 A，1.05 ?，DPAK

該 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)電源應(yīng)用。 ?-3.6 A，-100 V，RDS(on)= 1.05 Ω（最大值）@VGS = -10 V，ID = -1.8 A柵極電荷低（典型值：6.3nC)\n?低 Crss（典型值18pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ? VDS= -100V, ID= -18A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

100V P-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel QFET? MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

P-Channel QFET MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體