900V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 900 V, 6 A, 2.3 ?, TO-3P

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A柵極電荷低（典型值：30nC)\n?低 Crss（典型值11pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準\n?RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，6 A，2.3 ?，TO-3P

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A柵極電荷低（典型值：30nC)\n?低 Crss（典型值11pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標準\n?RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體