250V N-Channel MOSFET

250V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.04Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

文件：361.43 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

功率 MOSFET、N 溝道，QFET?，250 V，55 A，40 m?，TO-3P

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 ?55A, 300V, RDS(on)= 40mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 27.5A柵極電荷低（典型值：140nC)\n?低 Crss（典型值125pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n? 100% Avalanche Tested;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

TO-3P

仙童

上傳：深圳市勤思達(dá)科技有限公司

TO-3P

仙童

上傳：深圳市勤思達(dá)科技有限公司