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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FML9	文件：87.38 Kbytes Page：4 Pages	絲印：L9；Package：SOT-753；General purpose transistor (isolated transistor and diode) General purpose transistor (isolated transistor and diode) A 2SB1689 and a RB461F are housed independently in a UMT package. Features 1) Tr : Low VCE(sat) Di : Low VF 2) Small package Applications DC / DC converter Motor driver Structure Silicon epitaxial planar transistor 文件：87.38 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
FML9	文件：224.96 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/l9/marking.html">L9；Package：SOT-153；General purpose transistor General purpose transistor (isolated transistor and diode) ■ Features ● Tr1: Low VCE(sat) ● Di : Low VF ● Small package 文件：224.96 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
FML9	文件：88 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/l9/marking.html">L9；Package：SOT-753；General purpose transistor (isolated transistor and diode) 文件：88 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
FML9N90	文件：116 Kbytes Page：2 Pages	9Amps 900 Voltage N Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using Wisdom’s advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mod 文件：116 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
FML9_1	文件：88 Kbytes Page：5 Pages	General purpose transistor (isolated transistor and diode) 文件：88 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
FML9	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(BIP+Diode) ?DC-DC轉(zhuǎn)換器用超小型復合三極管;	ROHM 羅姆	ROHM
FML9N90	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet	FCI 富加宜	FCI
FML9T148	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74A，SOT-753；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 12V 1.5A SMT5	ROHM 羅姆	ROHM

技術(shù)參數(shù)

Status：
新設計非推薦
封裝：
SMT5
包裝數(shù)量：
3000
最小獨立包裝數(shù)量：
3000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-25
JEITA Package：
SC-74A
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.1)
Number of terminal：
5
Polarity：
PNP+Di
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-12.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-1.5
hFE：
270 to 680
hFE (Min.)：
270
hFE (Max.)：
680
hFE (Diode)：
25
Reverse voltage VR (Diode) [V]：
20.0
Forward Current IF (Diode) [A]：
0.7
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]：
3.0
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
2SB1689 / RB461F
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
125

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更多FML9供應商更新時間2026-1-19 16:30:00

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