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FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：578.13 Kbytes 頁數：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMI03N60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 600V-700V	FUJI 富士通	FUJI
FMP03N60E	文件：571.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic More controllable switching dv/dt by gate resistance Smaller VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) High avalanche durability Applica 文件：571.53 Kbytes 頁數：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMP03N60E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.3Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.56 Kbytes 頁數：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FMV03N60E	文件：532.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic More controllable switching dv/dt by gate resistance Smaller VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) High avalanche durability Applica 文件：532.96 Kbytes 頁數：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI

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深圳市賽美科科技有限公司	FMI03N60E	FUJI		原廠封裝	1000	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市芯皇電子有限公司	FMI03N60E	FUJI/富士電機	23+	N/A	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)	詢價
深圳市星辰微電科技有限公司	FMI03N60E	FUJI/富士電機	25+	N/A	11550	FUJI/富士電機系列在售	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FMI06N60ES	FUJI/富士電機	23+	TO262	28888	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價

更多FMI03N60E供應商更新時間2026-1-21 14:02:00