ESBCTM Rated NPN Power Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

Rated NPN Power Transistor

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

ESBC 額定 NPN 功率晶體管

FJP2145 是一個低成本、高性能的功率開關(guān)，當(dāng)它在以下應(yīng)用的 ESBC? 配置中使用時可提供最佳性能： 電源、電機(jī)驅(qū)動器、智能電網(wǎng)或點火開關(guān)。 功率開關(guān)可在高達(dá)1100V的電壓和5amps的電流下工作，同時提供出色的低導(dǎo)通電阻和極低的開關(guān)損耗。 ESBC? 開關(guān)可由現(xiàn)成的電源控制器或驅(qū)動器進(jìn)行驅(qū)動。 ESBC? MOSFET 是將低輸入電容和快速開關(guān)整合在一起的低電壓、低成本表面貼裝器件。 由于沒有米勒電容，ESBC? 配置可進(jìn)一步最小化所需驅(qū)動電源。 FJP2145 因其具有方形的反向偏壓安全工作區(qū) (RBSOA) 和堅固的設(shè)計，因此它可提供一流的可靠性和較大的工作范圍。 該器件具有雪崩 ?低等效導(dǎo)通電阻\n?非常快速開關(guān)： 150 kHz\n?寬 RBSOA： 高達(dá) 1100 V \n?雪崩額定值 \n?低驅(qū)動電容，無米勒電容 \n?低開關(guān)損耗 \n?可靠的高壓開關(guān)： 因其具有高 dv/dt 瞬變能力，可實現(xiàn)無誤觸發(fā);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

絲印：J2145；Package：TO-220F；Rated NPN Power Transistor

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Package：TO-220-3 整包；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 800V 5A TO220F-3

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安森美半導(dǎo)體