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FIR7N65BPG	文件：4.33285 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：4.33285 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FOSTER 福斯特半導(dǎo)體	FOSTER
FIR7N65BPG(I版)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高壓功率MOS	First 福斯特	First
FIR7N65FG	文件：2.82486 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：2.82486 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FOSTER 福斯特半導(dǎo)體	FOSTER
FIR7N65LG	文件：3.73969 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：3.73969 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	FOSTER 福斯特半導(dǎo)體	FOSTER
FQA7N65C	文件：722.05 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. 文件：722.05 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

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更多FIR7N65BPG供應(yīng)商更新時間2026-1-21 14:17:00